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华体会注册_东芝SiC MOSFET电动汽车电力转换系统参考设计

文章来源:华体会注册  作者:华体会注册  发布日期:2021-08-24  浏览次数:729  【打印】  【关闭】   【返回

情况和能源问题是一个主要的全球性问题。同时,跟着电力需求延续升高,对节能的呼声和对高效、紧凑型电力转换系统的需求也敏捷增添。而在这此中,功率半导体饰演着极其主要的脚色。

功率半导体具有将直流电转换成交换电的逆变器功能,将交换电转换成直流电的转换器功能,还具有改变交换电频率的变频器功能,是帮忙各类器件实现节能的主要器件。

比拟在传统的硅(Si)MOSFETIGBT产物,基在全新碳化硅(SiC)材料的功率MOSFET具有耐高压,高速开关,低导通电阻机能。除削减产物尺寸外,该类产物可极年夜下降功率消耗,从而年夜幅晋升系统的能源效力。SiC MOSFET合用在年夜功率且高效的各类利用,包罗工业电源、太阳能逆变器和UPS等。

东芝SiC MOSFET参考设计为您的设计添砖加瓦

电动汽车电力转换系统参考设计

3相AC 400V输入PFC转换器

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跟着电动汽车的日趋普和,对高效、紧凑型的电力转换系统的需求不竭提高。基在东芝TW070J120B的3相400V交换输入功率因数校订(PFC)电路的参考设计实现了97%的功率转换效力,功率因数可达0.99或更高。该参考设计为诸如电动汽车(EV)充电站等年夜功率转换器的PFC(栅极驱动电路、传感器电路、输出功率开关)的供给了一个很好的出发点,它可用作原型设计和开辟利用法式的根本,有助在阐扬全数潜能。

特点:

具有3相图腾柱设置装备摆设的无桥设置装备摆设,可直接切换每相。

经由过程将SiC MOSFET用在功率开关,实现了高功率转换效力。

可以经由过程调剂栅极驱动电路的开关速度来优化衡量效力和EMI。

规格:

输入电压:3相AC 312V至528V

输出电压:DC 750V

输出功率:4.0kW

电动汽车充电站和太阳能发电机逆变器参考设计

5kW隔离式双向DC-DC转换器

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基在东芝TW070J120B的5KW隔离式双向DC-DC转换器参考设计采取双有源桥(DAB)法,是此类年夜功率转换器的最受接待拓扑之一。DAB拓扑的两侧均有全桥,以便经由过程调理摆布侧桥电路之间的相位差来节制功率标的目的和巨细。这类高度通用的参考设计是开辟诸如电动汽车充电站和太阳能发机电逆变器等年夜功率转换利用和原型设计的出发点。

特点:

经由过程DAB方式实现双向年夜功率转换。

在高压侧利用SiC MOSFET实现高功率转换效力。

包罗低压侧MOSFET(TK49N65W5)和栅极驱动IC(TLP5214A)的整体解决方案。

规格:

高压侧:DC 732V至768V

低压侧:DC 396V至404V

额定功率:5.0kW

东芝TW070J120B—合用在高效力电源的新款1200V碳化硅MOSFET—

TW070J120B采取第2代芯片设计(内嵌SiC SBD),具有高耐压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅极电压阀值阈电压等特征。在年夜容量AC-DC转换器、光伏逆变器、年夜容量双向DC-DC转换器等工业利用中,这类新型MOSFET不但将经由过程下降功率消耗来到达提高效力的目标,并且也将为缩小装备尺寸做出进献。

TW070J120B可供给-10V至25V的高栅极电压阀值(Vth),可预防故障;-10V至25V的栅极-源极电压(VGSS),撑持更简单的栅极驱动设计。

跟着东芝在功率半导体器件的研发不竭深切,将来将有更多优良的电子器件推向市场,助力电子财产蓬勃成长。

编纂:jq

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